HY57V561620T-S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HY57V561620T-S
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内容描述：	4Banks X大4M x 16Bit的同步DRAM [4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小：	13 页 / 153 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

HY57V561620(L)T

IBIS规格

特性（上拉）

电压

(V)

3.45

3.3

3.0

2.6

2.4

2.0

1.8

1.65

1.5

1.4

1.0

0.0

-21.1

-34.1

-58.7

-67.3

-73.0

-77.9

-80.8

-88.6

-93.0

100MHz

民

我（毫安）

100MHz

最大

我（毫安）

-2.4

-27.3

66MHz

民

为66MHz和100MHz的拉

我（毫安）

0.5

1.5

2.5

3.5

-100

-200

我（毫安）

-0.7

-7.5

-13.3

-27.5

-35.5

-41.1

-47.9

-52.4

-74.1

-129.2

-153.3

-197.0

-226.2

-248.0

-269.7

-284.3

-344.5

-502.4

-300

-400

-500

-600

电压（V）的

IOH敏（ 100MHz时）

-72.5

-93.0

IOH敏（ 66MHz的）

IOH敏（ 66到100MHz ）

特性（下拉）

电压

(V)

0.0

0.4

0.65

0.85

1.0

1.4

1.5

1.65

1.8

1.95

3.0

3.45

100MHz

民

我（毫安）

0.0

27.5

41.8

51.6

58.0

70.7

72.9

75.4

77.0

77.6

80.3

81.4

100MHz

最大

我（毫安）

0.0

70.2

107.5

133.8

151.2

187.7

194.4

202.5

208.6

212.0

219.6

222.6

66MHz

民

我（毫安）

0.0

为66MHz和100MHz的下拉

250

200

26.9

33.3

37.6

46.6

48.0

49.5

50.7

51.5

54.2

54.9

我（毫安）

17.7

150

100

0.5

1.5

电压（V）的

2.5

3.5

I（ mA）的100分钟

我（毫安） 66分钟

I（ mA）的最大值100

** IBIS规范。也适用于133MHz的设备。

修订版1.8 / Apr.01

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