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HY57V641620HGLT-P 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620HGLT-P图片预览
型号: HY57V641620HGLT-P
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 88 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V641620HG
4库x 1米x 16Bit的同步DRAM
ð (E S) C R IP牛逼IO ñ
海力士HY57V641620HG是67108864位CMOS同步DRAM ,非常适合主存储应用场合
需要大的存储密度和高带宽。 HY57V641620HG组织为1,048,576x16 4banks 。
HY57V641620HG是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有输入和输出都是同步的
认列与时钟输入的上升沿。的数据通路内部流水线,以达到非常高的带宽。所有的输入和输出
电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读( 2个读延迟或3) ,数量或写启动周期
由一个单一的控制命令(突发的1,2,4,8或整页长度),以及脉冲串计数序列(顺序或交错) 。一阵
读或写周期的进展可以由脉冲串被终止终止命令,或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在更换
读或写命令在任何周期。 (此流水线设计不是由` 2N`规则的限制。 )
特点
单3.3 ±
0 . 3 V
电源
注)
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1,2 ,4,8或全部页面为顺序突发
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 54pin TSOP- II ,具有0.8mm
引脚间距
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
- 1,2 ,4或8对交错突发
可编程CAS延时; 2 , 3个时钟
通过UDQM或LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
Ø ř D E R IN G IN ˚F Ø R M为T IO ñ
产品型号
HY57V641620HGT-5/55/6/7
HY57V641620HGT-K
HY57V641620HGT-H
HY57V641620HGT-8
HY57V641620HGT-P
HY57V641620HGT-S
HY57V641620HGLT-5/55/6/7
HY57V641620HGLT-K
HY57V641620HGLT-H
HY57V641620HGLT-8
HY57V641620HGLT-P
HY57V641620HGLT-S
Ç锁定频率
200/183/166/143MHz
133MHz
133MHz
动力
组织
接口
正常
125MHz
100MHz
100MHz
200/183/166/143MHz
133MHz
133MHz
低功耗
125MHz
100MHz
100MHz
4Banks X 1Mbits
x16
LVTTL
400mil 54pin TSOP II
ñ OTE : VDD (M中) HY 5 7 V 6 4 1 6 2 0 HG (L )T - 5 /10 5 /6 3 。 1 3 5 V
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。现代电子不承担使用任何责任
电路描述。没有专利许可。
修订版0.5 / Jun.01