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HY57V641620HGT-55I 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620HGT-55I图片预览
型号: HY57V641620HGT-55I
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 146 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V641620HG -I系列
4库x 1米x 16Bit的同步DRAM
描述
海力士HY57V641620HG是67108864位CMOS同步DRAM ,非常适合移动应用的R,它要求
低功耗和宽温度范围。 HY57V641620HG组织为1,048,576x16 4banks 。
HY57V641620HG是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有输入和输出都是同步的
认列与时钟输入的上升沿。的数据通路内部流水线,以达到非常高的带宽。所有的输入和输出
电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读( 2个读延迟或3) ,数量或写启动周期
由一个单一的控制命令(突发的1,2,4,8或整页长度),以及脉冲串计数序列(顺序或交错) 。一阵
读或写周期的进展可以由脉冲串被终止终止命令,或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在更换
读或写命令在任何周期。 (此流水线设计不是由` 2N`规则的限制。 )
特点
单3.3 ± 0.3V电源
注)
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 54pin TSOP- II ,具有0.8mm
引脚间距
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过UDQM或LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1,2 ,4,8或全部页面为顺序突发
- 1,2 ,4或8对交错突发
可编程CAS延时; 2 , 3个时钟
订购信息
产品型号
HY57V641620HGT-5I/55I/6I/7I
HY57V641620HGT-KI
HY57V641620HGT-HI
HY57V641620HGT-8I
HY57V641620HGT-PI
HY57V641620HGT-SI
HY57V641620HGLT-5I/55I/6I/7I
HY57V641620HGLT-KI
HY57V641620HGLT-HI
HY57V641620HGLT-8I
HY57V641620HGLT-PI
HY57V641620HGLT-SI
时钟频率
200/183/166/143MHz
133MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
200/183/166/143MHz
133MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
动力
组织
接口
正常
4Banks X 1Mbits
x16
LVTTL
400mil 54pin TSOP II
低功耗
注: VDD (最小值) HY57V641620HG ( L)的T- 5I / 55I / 6I为3.135V
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士半导体公司不承担使用任何责任
电路的描述。没有专利许可。
1.0版/一月02
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