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HY57V641620HGT-55I 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620HGT-55I图片预览
型号: HY57V641620HGT-55I
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 146 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V641620HG
直流特性II
( TA = -40〜 85°C ,V
DD
=3.3
±
0.3V
Note5
, V
SS
=0V)
速度
参数
符号
测试条件
-5I
工作电流
预充电待机
当前
在掉电模式
I
DD1
I
DD2P
I
DD2PS
突发长度= 1 ,一家银行主动
t
RC
t
RC
(分钟) ,我
OL
=0mA
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=分钟
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CK
=分钟
输入信号被改变一次
在2Clks 。所有其他引脚
V
DD
-
0.2V或
0.2V
CKE
V
IH
(分钟) ,T
CK
=
输入信号是稳定的。
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=分钟
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CK
=分钟
输入信号被改变一次
在2Clks 。所有其他引脚
V
DD
-
0.2V或
0.2V
CKE
V
IH
(分钟) ,T
CK
=
输入信号是稳定的。
t
CK
t
CK
(分钟) ,我
OL
=0mA
所有银行都主动
CL=3
CL=2
170
NA
160
NA
150
NA
150
NA
160
1
400
100
单位注
-55I
95
-6I
90
-7I
85
-KI
85
2
2
85
-8I
80
-PI
80
-SI
80
mA
mA
mA
1
预充电待机
当前
在非掉电模式
I
DD2N
15
mA
I
DD2NS
主动待机电流
在掉电模式
I
DD3P
I
DD3PS
12
6
5
mA
mA
mA
I
DD3N
主动待机电流
在非掉电模式
I
DD3NS
突发模式工作
当前
自动刷新当前
自刷新电流
30
mA
20
150
150
120
120
120
120
mA
mA
mA
mA
mA
uA
2
3
4
1
I
DD4
I
DD5
I
DD6
t
RRC
t
RRC
(分钟) ,所有银行主动
CKE
0.2V
注意:
1.I
DD1
DD4
取决于输出负载和循环率。规定值的测量与输出开路
2.Min 。 TRRC的( RAS刷新周期时间)显示在交流特性II
3.HY57V641620HGT-5I/55I/6I/7I/KI/HI/PI/SI
4.HY57V641620HGLT-5I/55I/6I/7I/KI/HI/PI/SI
1.0版/一月02
6