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HY57V64820HG 参数 Datasheet PDF下载

HY57V64820HG图片预览

型号：	HY57V64820HG
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	4银行X 2米x 8位同步DRAM [4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	11 页 / 135 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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HY57V64820HG

交流特性II

-6

参数

符号

民

手术

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AUTO

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民

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50

20

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0

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64

ns

ns

ns

ns

ns

ns

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

ms

1

-7

-K

-H

-8

-P

-S

单位

记

t

RC

t

RRC

t

RCD

t

RAS

t

RP

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60

18

42

18

12

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0

2

5

2

0

2

3

2

1

1

-

RAS到CAS延迟

RAS活动时间

RAS预充电时间

RAS到RAS银行主动延迟

t

RRD

CAS到CAS延迟

写命令数据在

延迟

数据进行预充电

命令

输入数据为ACTIVE命令

DQM到数据输出高阻

DQM到数据输入掩码

黄新建命令

t

CCD

t

WTL

t

DPL

t

DAL

t

DQZ

t

DQM

t

MRD

预充电到

数据输出高阻

CAS

t

PROZ3

延时= 3

CAS

t

PROZ2

延时= 2

掉电退出时间

自刷新退出时间

刷新时间

t

PDE

t

SRE

t

REF

注意：

1.新的命令可以自刷新退出后给予TRRC

修订版0.5 /九月02

8

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