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HY57V64820HGLT-K 参数 Datasheet PDF下载

HY57V64820HGLT-K图片预览
型号: HY57V64820HGLT-K
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内容描述: 4银行X 2米x 8位同步DRAM [4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 135 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V64820HG
直流特性II
值(TA = 0 〜70℃ ,V
DD
=3.3
±
0.3V, V
SS
=0V)
速度
参数
符号
测试条件
-6
工作电流
预充电待机电流
在掉电模式
I
DD1
I
DD2P
I
DD2PS
I
DD2N
预充电待机电流
在非掉电模式
I
DD2NS
主动待机电流
在掉电模式
I
DD3P
I
DD3PS
I
DD3N
主动待机电流
在非掉电模式
I
DD3NS
突发长度= 1 ,一家银行主动
t
RC
t
RC
(分钟) ,我
OL
=0mA
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=分钟
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CK
=分钟
输入信号在一个时间变
2clks 。所有其他引脚
V
DD
-0.2V或
0.2V
CKE
V
IH
(分钟) ,T
CK
=
输入信号是稳定的。
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=分钟
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CK
=分钟
输入信号在一个时间变
2clks 。所有其他引脚
V
DD
-0.2V或
0.2V
CKE
V
IH
(分钟) ,T
CK
=
输入信号是稳定的。
t
CK
t
CK
(分钟) ,我
OL
=0mA
所有银行都主动
CL=3
CL=2
150
NA
150
NA
160
1
400
150
90
单位
-7
85
-K
85
2
2
-H
85
-8
85
-P / S
80
mA
mA
mA
1
15
mA
12
6
5
mA
mA
mA
30
mA
20
150
120
130
120
mA
mA
mA
mA
mA
uA
2
3
4
1
突发模式工作电流
自动刷新当前
自刷新电流
I
DD4
I
DD5
I
DD6
t
RRC
t
RRC
(分钟) ,所有银行主动
CKE
0.2V
注意:
1.I
DD1
DD4
取决于输出负载和循环率。规定值的测量与输出开路
2.Min 。 TRRC的( RAS刷新周期时间)显示在交流特性II
3.HY57V64820HGT-7/K/H/8/P/S
4.HY57V64820HGLT-7/K/H/8/P/S
修订版0.5 /九月02
6