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HY57V651620BLTC-75 参数 Datasheet PDF下载

HY57V651620BLTC-75图片预览
型号: HY57V651620BLTC-75
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 83 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V651620B
引脚配置
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54pin TSOP II
400mil X 875mil
0.8毫米引脚间距
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V SS
DQ15
V SSQ
DQ14
DQ13
V DDQ
DQ12
DQ11
V SSQ
DQ10
DQ9
V DDQ
DQ8
V SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V SS
引脚说明
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
CLK的上升沿
控制内部时钟信号和去激活时, SDRAM的将其中
中断电状态,暂停或自刷新
启用或禁用除CLK , CKE和DQM所有输入
S electsbanktobeactivat edduring RAS活性
S electsbanktoberead / writtenduring CAS活动
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA7
自动预充电标志: A10
CLK
时钟
CKE
时钟使能
CS
芯片选择
BA0,BA1
银行地址
A0 ~ A11
地址
行地址选通,
R A S,C A S ,W ê
列地址选通,
写使能
LDQM , UDQM
DQ0 〜 DQ15
V
D D
/V
S S
V
D D Q
/V
S S小Q
NC
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
R A S,C A S和W Ë定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据在写入模式
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源,输出缓冲器
无连接
修订版1.9 / Apr.01
2