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HY57V653220BTC-8 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY57V653220BTC-8
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内容描述: 4银行X 512K X 32位同步DRAM [4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 155 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V653220B
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz时, VDD = 3.3V )
参数
输入电容
CLK
A0 〜 A10 , BA0 , BA1 , CKE , CS , RAS ,
CAS,WE , DQM0 〜 3
数据输入/输出电容
DQ0 〜 DQ31
符号
C
I1
CI
2
C
I / O
2.5
2.5
4
最大
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
输出负载电路
Vtt=1.4V
Vtt=1.4V
RT=500
RT=50
产量
产量
30pF
Z0 = 50Ω
30pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
DC特性I
(直流工作条件,除非另有说明)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
符号
分钟。
-1
-1.5
2.4
-
最大
1
1.5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= + 2毫安
注意:
1.V
IN
= 0至3.6V ,所有其他引脚都没有被测= 0V
2.D
OUT
被禁用,V
OUT
= 0〜 3.6V
Rev.1.6 /十二月01
5