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HY57V658020BTC-75 参数 Datasheet PDF下载

HY57V658020BTC-75图片预览
型号: HY57V658020BTC-75
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内容描述: 4银行X 2米x 8位同步DRAM [4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 147 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V658020B
交流特性II
-75
参数
符号
手术
RAS周期时间
自动刷新
RAS到CAS延迟
RAS活动时间
RAS预充电时间
RAS到RAS银行主动延迟
CAS到CAS延迟
写命令数据在延迟
数据到预充电命令
输入数据为ACTIVE命令
DQM到数据输出高阻
DQM到数据输入掩码
黄新建命令
预充电到数据
输出高阻
CAS延时= 3
CAS延时= 2
最大
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100K
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68
68
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48
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16
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0
2
5
2
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2
3
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最大
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70
70
20
50
20
20
1
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2
0
2
3
2
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最大
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100K
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70
70
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20
20
1
0
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2
0
2
3
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最大
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100K
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80
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50
30
20
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0
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4
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0
2
3
2
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最大
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ns
ns
ns
ns
ns
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CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
ms
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-8
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-10
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RC
t
RRC
t
RCD
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RAS
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RP
t
RRD
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CCD
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WTL
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DPL
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DAL
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DQZ
t
DQM
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MRD
t
PROZ3
t
PROZ2
t
PDE
t
SRE
t
REF
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65
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45
20
15
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0
2
5
2
0
2
3
2
1
1
-
掉电退出时间
自刷新退出时间
刷新时间
注意:
1.新的命令可以自刷新退出后给予TRRC
修订版1.6 /十一月01
8