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HY57V641620ELTP-7 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620ELTP-7图片预览

型号：	HY57V641620ELTP-7
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	64MB同步DRAM的基础上1M X 4Bank x16的I / O [64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 116 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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64MB同步DRAM的基础上1M X 4Bank x16的I / O

文档标题

4Bank X 1M X 16位同步DRAM

修订历史

版本号

第一个版本发布

1.0

1.更改TOH ： 2.0 --> 2.5

[ TCK = 7 & 7.5 （ CL3 ）产品]

1.更改输入高/低电压（页08 ）

2.改变直流特性（页09 ）

- IDD2NS ： 18毫安-> 15毫安

- IDD5 ：一百九十五分之二百十/ 180毫安->一百六十零分之一百七十○ / 150毫安

[速度一百六十六分之二百/ 143 / 133MHz的]

3.更改时钟高/低脉冲宽度时间（第11页）

4.更改TAC时间（第11页）

5.改变TRRD时间（ 12页）

1.修正版本号： 2.0 -> 1.1

在修订历史记录2.删除备注

3.修正了交流工作条件下

- CL 50pF的-> 30pF的

4.改变DC工作条件

- VIH MAX VDDQ + 2.0 -> VDDQ + 0.3和典型3.3 -> 3.0

- VIL MIN VSSQ - 2.0 -> -0.3

订购信息1.修改笔记的超低功率

1.更正引脚分配A12数控

过冲和下冲1.修正意见

2004年11月

历史

草案日期

备注

1.1

2004年12月

1.2

2004年12月

1.3

1.4

1.5

2005年1月

2005年1月

2005年2月

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

2005年修订版1.5 /二月

1

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