同步DRAM内存64Mbit的（ 4Mx16bit ）
HY57V641620E （L / S ）， T（ P）系列
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于VSS的电压
在VDD相对于VSS的电压
短路输出电流
功耗
焊接温度
/
时间
符号
TA
TSTG
VIN，VOUT
VDD ， VDDQ
IOS
PD
Tsolder
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260
/
10
o
C
单位
o
C
o
C
V
V
mA
W
/
美国证券交易委员会
DC工作条件
(T
A
= 0至70
o
C)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VDD ， VDDQ
VIH
VIL
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
3.0
-
最大
3.6
VDDQ + 0.3
0.8
单位
V
V
V
记
1
1, 2
1, 3
注意：
1.所有电压参考V
SS
= 0V
2. VIH （max）是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与< =持续时间为3ns 。
3. VIL （分钟）是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度< =持续时间为3ns 。
AC运行试验条件
(T
A
= 0至70
o
C,
V
DD
=3.3±0.3V, V
SS
=0V)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出时序测量参考电平电压
输出负载电容的访问时间测量
注意：
1.
Vtt=1.4V
符号
VIH / VIL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4 / 0.4
1.4
1
1.4
30
Vtt=1.4V
单位
V
V
ns
V
pF
记
1
RT=500
Ω
RT=50
Ω
产量
产量
30pF
Z0 = 50Ω
30pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
2005年修订版1.5 /二月
7
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
