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HY5DS113222FM 参数 Datasheet PDF下载

HY5DS113222FM图片预览
型号: HY5DS113222FM
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内容描述: 512M ( 16Mx32 ) GDDR SDRAM [512M(16Mx32) GDDR SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 30 页 / 432 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY5DS113222FM(P)
功能框图
( 4Banks X的2Mbit ×32 I / O )× 2Chips双数据速率同步DRAM
写数据寄存器
2位预取单元
64
CLK
CLK
/ CLK
CKE
CS0
/ RAS
/ CAS
/ WE
DM(0~3)
/ CLK
32
输入缓冲器
DS
银行
控制
命令
解码器
2Mx32/Bank0
DQ [ 0:31 ]
2位预取单元
输出缓冲器
CKE
CS1
/ RAS
/ CAS
/ WE
SENSE AMP
2Mx32/Bank1
64
32
2Mx32/Bank2
2Mx32/Bank3
DM(0~3)
模式
注册
ROW
解码器
COLUMN
解码器
CLK_DLL
A0~A11
A0~A11
BA0,BA1
BA0,BA1
COLUMN
地址
计数器
模式寄存器
CLK , / CLK
数据选通
发射机
DQS(0~3)
地址
卜FF器
DS
数据选通
接收器
DLL
修订版0.1 / 2004年10月
6