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HY5DS283222BFP-36 参数 Datasheet PDF下载

HY5DS283222BFP-36图片预览
型号: HY5DS283222BFP-36
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内容描述: 128M ( 4Mx32 ) GDDR SDRAM [128M(4Mx32) GDDR SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 28 页 / 322 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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1HY5DS283222BF(P)
操作命令真值表 - III
当前
状态
/ CS
H
L
L
L
ROW
激活
L
L
L
L
L
H
L
L
L
RECOVERING
L
L
L
L
L
H
L
L
RECOVERING
AUTOPRE-
收费
L
L
L
L
L
L
H
凉爽
L
L
L
/ RAS
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
/ CAS
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
H
H
L
/ WE
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
地址
X
X
X
BA , CA, AP
BA , CA, AP
BA , RA
BA , AP
X
操作码
X
X
X
BA , CA, AP
BA , CA, AP
BA , RA
BA , AP
X
操作码
X
X
X
BA , CA, AP
BA , CA, AP
BA , RA
BA , AP
X
操作码
X
X
X
BA , CA, AP
命令
DSEL
NOP
BST
READ / READAP
WRITE / WRITEAP
法案
PRE / PALL
AREF / SREF
太太
DSEL
NOP
BST
READ / READAP
WRITE / WRITEAP
法案
PRE / PALL
AREF / SREF
太太
DSEL
NOP
BST
READ / READAP
WRITE / WRITEAP
法案
PRE / PALL
AREF / SREF
太太
DSEL
NOP
BST
READ / READAP
行动
NOP - tRCD的后进入ACT ROW
NOP - tRCD的后进入ACT ROW
违法
4
违法
4,10
违法
4,10
违法
4,9,10
违法
4,10
违法
11
违法
11
NOP - tWR的Enter键后, ROW ACT
NOP - tWR的Enter键后, ROW ACT
违法
4
违法
违法
违法
4,10
违法
4,11
违法
11
违法
11
NOP - tDPL后进入预充电
NOP - tDPL后进入预充电
违法
4
违法
4,8,10
违法
4,10
违法
4,10
违法
4,11
违法
11
违法
11
NOP - tRC的后进入IDLE
NOP - tRC的后进入IDLE
违法
11
违法
11
2005年修订版1.0 /二月
11