HY5PS1G431C(L)FP
HY5PS1G831C(L)FP
HY5PS1G1631C(L)FP
2.最大额定直流电压
2.1绝对最大额定直流电压
符号
VDD
VDDQ
VDDL
V
IN，
V
OUT
T
英镑
I
I
I
OZ
参数
在VDD引脚相对于VSS的电压
相对到Vss引脚VDDQ电压
在VDDL引脚相对于VSS的电压
任何引脚相对于VSS的电压
储存温度
输入漏电流;任何输入0V VIN VDD ;
所有其他的球不被测= 0V ）
输出漏电流; 0V VOUT VDDQ ; DQ
和ODT禁用
等级
- 1.0 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
-55到+100
-2微安〜 2微安
-5微安〜 5微安
单位
V
V
V
V
°C
uA
uA
笔记
1
1
1
1
1, 2
注意：
1.强调大于“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
2.保存温度是在外壳表面温度
χε�½τερ/top
DRAM的一侧。对于测量
条件。请参阅JESD51-2标准。
2.2工作温度条件
符号
T
OPER
注意：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。对于测量
精神疾病的条件下，请参阅JESD51-2标准。
2.在85 〜 95℃牛逼
OPER
，双刷新率（ tREFI ： 3.9us ）是必需的，并且在此温进入自刷新模式
温度范围内，一个EMRS命令需要改变
ιnternal
刷新率。
参数
工作温度
等级
0至95
单位
°C
笔记
1,2
修订版0.2 / 2006年12月
10
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
