1HY5PS12421B(L)FP
1HY5PS12821B(L)FP
1HY5PS121621B(L)FP
1.3引脚说明
针
TYPE
描述
时钟： CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号
采样CK和CK的下降沿的正面边缘的交叉。产量
（读）数据为参考CK和CK的交叉（交叉的两个方向） 。
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号，
装置的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电电源
向下和自刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE POWER DOWN （行
在任何银行ACTIVE ） 。 CKE是同步的POWER DOWN进入和退出，以及
自刷新条目。 CKE是异步的自刷新退出。 V后
REF
有
上的电源和初始化序列期间变得稳定，它必须保持
对于所述CKE接收机的正常操作。对于正确的自刷新出入境，V
REF
必须保持到该输入端。 CKE必须保持高通量和读
写访问。输入缓冲器，但不包括CK ， CK和CKE是电时禁用
DOWN 。输入缓冲器，但不包括CKE是在自刷新无效。
芯片选择：当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS为
在与多家银行系统外的银行选择。 CS被认为是部分
命令代码。
上的模具终止控制： ODT （注册的HIGH ）可实现上的管芯端接电阻
tance内部的DDR2 SDRAM 。当启用时， ODT仅适用于DQ ， DQS ，
DQS ， RDQS ， RDQS ，和DM信号X4，X8的配置。对于x16配置ODT
被施加到每个DQ ， UDQS / UDQS.LDQS / LDQS ， UDM和LDM信号。所述ODT管脚
如果扩展模式寄存器（ EMRS （1） ）被编程为禁用的ODT将被忽略。
命令输入： RAS ， CAS和WE （连同CS ）定义的命令是
输入。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。输入数据被屏蔽
当DM是在写访问取样与输入数据的高重合。 DM
采样的DQS的两边，虽然DM引脚输入而已， DM加载
匹配DQ和DQS装载。对于x8的设备，糖尿病或RDQS / RDQS的功能是
通过EMRS命令启用。
银行地址输入： BA0 - BA2确定哪个银行的积极，读，写或PRE-
充电指令被应用（对于256Mb的和512MB ， BA2不适用） 。银行
报告还确定了模式寄存器和扩展模式寄存器将被
在一个MRS或EMRS周期访问。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，并且列
地址和自动预充电位读/写命令，选择一个位置
在各个银行的存储器阵列。在一个预充电A10被采样
命令，以确定是否预充电适用于一个银行（A10低）或所有
银行（A10高） 。如果只有一家银行被预充电，该行被选中BA0-
BA2 。地址输入时也模式寄存器设置的COM提供的操作码
mands 。
数据输入/输出：双向数据总线
CK ， CK
输入
CKE
输入
CS
输入
ODT
输入
RAS ， CAS ， WE
输入
DM
（ LDM ， UDM ）
输入
BA0 - BA2
输入
A0 -A15
输入
DQ
输入/
产量
修订版0.7 / 2007年10月
8
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
