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HY5S2B6DLF-SE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY5S2B6DLF-SE
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内容描述: 4Banks X 2M X 16位同步DRAM [4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 26 页 / 232 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY5S2B6DLF(P)-xE
4Banks X 2M X 16位同步DRAM
文档标题
4Bank X 2M X 16位同步DRAM
修订历史
版本号
0.1
0.2
0.3
历史
最初的草案
初步删除
变更后的工作电压: 1.65 (
) -> 1.70 (
)
草案日期
2003年12月
五月。 2004年
2005年2月
备注
初步
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
2005年修订版0.3 /二月
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