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HY5S5B6ELF-SE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY5S5B6ELF-SE
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内容描述: 基于4M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O [256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 240 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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基于4M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O
文档标题
4Bank X 4M X 16位同步DRAM
修订历史
版本号
0.1
0.2
0.3
1.0
最初的草案
修改IDD电流
修改IDD3P & IDD3PS
IDD3P / IDD3PS : 3毫安/ 2毫安--> 5毫安/ 5毫安
最后修订
历史
草案日期
2004年8月
2004年10月
2005年1月
2005年7月
备注
初步
初步
初步
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
1.0版/ 2005年7月
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