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    HY5V66EF6P-7 参数 Datasheet PDF下载

    HY5V66EF6P-7图片预览
    型号： HY5V66EF6P-7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64MB同步DRAM的基础上1M X 4Bank x16的I / O [64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器时钟
    文件页数/大小： 12 页 / 220 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY5V66EF6P-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY5V66EF6P-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY5V66EF6P-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY5V66EF6P-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY5V66EF6P-7的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY5V66EF6P-7的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY5V66EF6P-7的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY5V66EF6P-7的Datasheet PDF文件第11页  
    同步DRAM内存64Mbit的（ 4Mx16bit ）
    HY5V66E （L ）， F6 （ P）系列
    11
    初步
    电容
    (T
    A
    = 0至70
    o
    C,
    F = 1MHz时， V
    DD
    =3.3V)
    参数
    CLK
    输入电容
    A0 〜 A11 ， BA0 ， BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
    WE ， LDQM ， UDQM
    DQ0 〜 DQ15
    针
    符号
    CI1
    CI2
    CI / O
    民
    2.0
    2.0
    3.0
    最大
    4.0
    4.0
    5.5
    单位
    pF
    pF
    pF
    数据输入/输出电容
    DC特性的研究我
    (T
    A
    = 0至70
    o
    C)
    参数
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出高电压
    输出低电压
    注意：
    1. V
    IN
    = 0〜 3.3V ，其他所有的球都没有在V测试
    IN
    =0V
    2. D
    OUT
    被禁用，V
    OUT
    = 0〜 3.6
    符号
    I
    LI
    I
    LO
    V
    OH
    V
    OL
    民
    -1
    -1
    2.4
    -
    最大
    1
    1
    -
    0.4
    单位
    uA
    uA
    V
    V
    记
    1
    2
    I
    OH
    = -2mA
    I
    OL
    = + 2毫安
    修订版0.2 / 6月。 2005年
    7

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