HY5V66GF
4库x 1米x 16Bit的同步DRAM
描述
韩国现代HY5V66GF是67108864位CMOS同步DRAM ，非常适合主存储应用场合
需要大的存储密度和高带宽。 HY5V66GF组织为1,048,576x16 4banks 。
HY5V66GF是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有的输入和输出是同步的
与时钟输入的上升沿。的数据通路内部流水线，以达到非常高的带宽。所有的输入和输出电压
年龄层次与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读（ 2个读延迟或3） ，数量或写启动周期
由一个单一的控制命令（突发的1,2,4,8或整页长度），以及脉冲串计数序列（顺序或交错） 。一阵
读或写周期的进展可以由脉冲串被终止终止命令，或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在更换
读或写命令在任何周期。 （此流水线设计不是由` 2N`规则的限制。 ）
特点
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单3.3 ± 0.3V电源
注）
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准60Ball FD -BGA与为0.65mm
引脚间距
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过UDQM或LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
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自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1，2 ，4，8或全部页面为顺序突发
- 1，2 ，4或8对交错突发
可编程CAS延时; 2 ， 3个时钟
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订购信息
产品型号
HY5V66GF-H
HY5V66GF-P
时钟频率
133MHz
100MHz
动力
正常
组织
4Banks X 1Mbits
x16
接口
LVTTL
包
10.1x 6.4 60Ball 0.65
脚-pitch FD -BGA
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担使用任何责任
电路描述。没有专利许可。
修订版0.4 /十一月01
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HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
