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HY628400ALLG 参数 Datasheet PDF下载

HY628400ALLG图片预览
型号: HY628400ALLG
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内容描述: 512K ×8位5.0V低功耗CMOS SRAM慢 [512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 182 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY628400A系列
描述
该HY628400A是一种高速,低功耗,
4M比特组织为512K字CMOS SRAM
由8位。该HY628400A采用海力士的高
高性能双桶CMOS工艺技术
与被设计用于高速,低功率
电路技术。它特别适于供
在高密度和低功率系统中使用
应用程序。此装置具有的数据保留
模式,保证数据将保持在所述有效
2.0V的最小供电电压。
产品
电压
速度
(V)
(纳秒)
HY628400A
4.5~5.5 55/70/85
HY628400A -E 4.5 〜 5.5 55/70/85
HY628400A-I
4.5~5.5 55/70/85
注意事项1.当前值最大。
手术
电流/ ICC(毫安)
10
10
10
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池(L / LL -部分)
- 。 2.0V (分)的数据保留
标准引脚配置
- 。 32引脚525mil SOP
- 。 32引脚400mil TSOP -II
(标准和反向)
待机电流( UA)
L
LL
100
30
100
50
100
50
温度
(°C)
0~70
-25~85
-40~85
引脚连接
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
SOP
TSOP -II (标准)
TSOP -II (反向)
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A18
I / O1 〜 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(4.5~5.5V)
框图
A0
行解码器
I/O1
SENSE AMP
添加输入缓冲器
列解码器
数据I / O
卜FF器
存储阵列
512Kx 8
写入驱动器
I/O8
A18
/ CS
/ OE
/ WE
控制
逻辑
转07 / 2001年4月
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