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HY628400ALLT2-55 参数 Datasheet PDF下载

HY628400ALLT2-55图片预览
型号: HY628400ALLT2-55
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内容描述: 512K ×8位5.0V低功耗CMOS SRAM慢 [512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 182 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY628400A系列
512Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
512K ×8位5.0V低功耗CMOS SRAM慢
修订历史
版本号
04
05
06
历史
修订历史将
修订
- 更改Iccdr值: 15uA = >的20uA
标识信息添加
修订
-
E.T ( -25〜 85°C ) , I.T ( -40 〜 85°C )部分插入
-
AC测试条件添加: 5pF的负载测试
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jul.06.2000
Aug.04.2000
Dec.04.2000
备注
最终科幻
最终科幻
最终科幻
07
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转07 / 2001年4月
海力士半导体