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    HY62U8100B 参数 Datasheet PDF下载

    HY62U8100B图片预览
    型号： HY62U8100B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8位3.0V低功耗CMOS SRAM慢 [128K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 203 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY62U8100B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY62U8100B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY62U8100B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY62U8100B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY62U8100B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY62U8100B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY62U8100B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY62U8100B的Datasheet PDF文件第9页  
    HY62U8100B系列
    128Kx8bit CMOS SRAM
    文档标题
    128K ×8位3.0V低功耗CMOS SRAM慢
    修订历史
    版本号
    10
    历史
    最初的修订历史将
    修订
    - 插入部分为70ns
    改变sTSOP的缺口位置
    - 左上= >左中心
    标识信息添加
    修订
    - AC测试条件添加： 5pF的负载测试
    改变的标志
    - 韩国现代海力士->
    - 标识信息变更
    草案日期
    Jul.25.2000
    备注
    最终科幻
    11
    Sep.04.2000
    最终科幻
    12
    Dec.04.2000
    最终科幻
    13
    Apr.30.2001
    最终科幻
    这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何
    负责使用说明电路。没有专利许可。
    转13 / 2001年4月
    海力士半导体

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