HY57V161610D
2 ，银行X 512K ×16位同步DRAM
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韩国现代HY57V161610D是16777216位CMOS同步DRAM ，非常适合主存储
和图形的应用程序需要大的存储密度和高带宽。 HY57V161610D的组织结构
的524,288x16 2banks 。
HY57V161610D是提供参考的正沿时钟完全同步操作。所有的输入和输出
与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线达到非常高的频带 -
宽度。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度（ 1,2-读延迟或3）的连续的读取，对数或
写由单一的控制命令（ 1,2,4,8或整页突发长度）发起的周期，突发计数
序列（顺序或交错） 。一阵正在进行读或写周期可以由突发终止被终止
命令，或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在替换的读或写命令中的任何周期。 （这条管道
设计不是由` 2N`规则的限制。 ）
特点
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单一3.0V至3.6V电源
Note1)
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自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1 ， 2 ， 4 ， 8和全页的顺序突发
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 50PIN TSOP- II ，具有0.8mm
引脚间距
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所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
- 1， 2,4和8为交错突发
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可编程Ç A S延迟; 1 ，2，3时钟
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通过UDQM / LDQM数据屏蔽功能
国内两家银行的操作
Ø ř D E R IN G IN ˚F Ø R M为T IO ñ
产品型号
HY57V161610DTC-5
HY57V161610DTC-55
HY57V161610DTC-6
HY57V161610DTC-7
HY57V161610DTC-8
HY57V161610DTC-10
C罗C k的量F r é Q ü简ç ÿ
200MHz
183MHz
166MHz
Ø rganization
接口
包
2Banks X 512Kbits ×16
143MHz
125MHz
100MHz
LVTTL
400mil
50PIN TSOP II
注意：
1. V
DD
HY 5 7 V 1 6 1 6 1 0 DTC （分钟） - 5月5日5 3 。 1 5 V
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可
修订版3.6 / Apr.01
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
