DB3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DB3
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内容描述：	硅双向DIACS [SILICON BIDIRECTIONAL DIACS]
分类和应用：	数据判读及分析中心IOT
文件页数/大小：	2 页 / 45 K
品牌：	HY [ HY ELECTRONIC CORP. ]

DB3,DB4,DB6

硅

双向DIACS

特点

●

三路层两端，轴向引线，

功耗

DO- 41

150

DO-35(GLASS)

.020

典型值。

(0.51)

1.083(27.5)

民

密封单IGBT是特别设计

触发thyrisitors .The证明低导通电流。

在导通对称性在三伏特（ DB3 ， DB4 ）

或4伏（ DB 6 ）。这些单IGBT是供

在thyrisitors相位控制使用，为电灯线路

调光通用电机速度控制和热

控制

●

这diocle也是缴费的DO- 41case 。

1.0(25.4)

民

.034(0.9)

迪亚

.028(0.7)

.205(5.2)

最大

.107(2.7)

迪亚

.080(2.0)

1.0(25.4)

民

.150(3.8)

最大

.079

最大

(2.0)

1.083(27.5)

民

尺寸以英寸（毫米）

绝对额定值

参数

在打印功耗

西尔扣器（L = 10毫米）

重复峰值通态

当前

=50℃

Tp=10uS

f=100H

英镑

-44至+ 125 / -40〜+ 110

℃

TRM

2.0

符号

DB3

价值

DB4

150

DB6

单位

存储和工作温度Juntion

电气特性

PAPRAMETERS

符号

测试条件

DB3

民

击穿电压*

C=22nf**

见图1

典型值

最大

转折电压对称性

1+V

I-

1-V

动态击穿电压

输出电压*

导通电流*

上升时间*

漏电电流*

1±△V1

参照图1

见图2

C=22nf**

参见图3

=0.5 V

最大

参见图3

注：适用于正向*电气特性和反向。

**连接与设备平行。

民

最大

典型值

最大

100

1.5

C=22nf**

见图1

△I=(I

以IF = 10毫安）

民

最大

价值

DB4

±3

DB6

单位

~ 211 ~

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