初步数据表
ICE10N60FP
ICE10N60FP
N沟道
增强型MOSFET
特点
= LOW
r
DS （ ON）
•超低栅极电荷
•高dv / dt能力
•高非钳位感应开关（ UIS）能力
•高峰值电流能力
•提高跨导性能
•优化设计的高性能电源系统
卤素
产品概述
I
D
V
（ BR ） DSS
r
DS （ ON）
免费
T
A
=25
o
C
I
D
=250uA
V
GS
=10V
V
DS
=480V
D
10A
600V
0.28
41nC
最大
民
典型值
典型值
Q
g
G
S
ICEMOS和它的姊妹公司3D SEMI所拥有的基础专利
FOR超结MOSFET的。这些专利多数有17〜 20
剩余寿命年。该组合授予专利权发行
美国，中国，韩国，日本，台湾&欧洲
.
T0220全PAK
隔离（ T0-220 ）
1 =门， 2 =排水，
3=Source
最大额定值
b
参数
连续漏电流
漏电流脉冲
在
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
符号
I
D
I
D，脉冲
E
AS
I
AR
dv / dt的
条件
T
c
=25
o
C
T
c
=25
o
C
I
D
=8.3A
受
T
j
最大
价值
10
30
340
5
50
单位
A
A
mJ
A
V / ns的
雪崩能量，单脉冲
雪崩电流，重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作和存储温度
安装力矩
a。当安装在1英寸方形2盎司覆铜板FR- 4
V
DS
=480V,
I
D
=10A,
T
j
=125
o
C
STATIC
AC （ f>1Hz ）
T
c
=25°C
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
±20
±30
35
-55到+150
V
W
°C
NCM
M 2.5螺丝
50
B初步数据表 - 规格如有变更
SP-10N60FP-000-2
05/15/2013
1
ICEMOS [ Icemos Technology ]
