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型号: ICE2N73D
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内容描述: 增强型MOSFET [Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 832 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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初步数据表
ICE2N73D
ICE2N73D
N沟道
增强型MOSFET
特点
= LOW
r
DS ( ON)
•超低栅极电荷
•高dv / dt能力
•高非钳位感应开关( UIS)能力
•高峰值电流能力
•提高跨导性能
•优化设计的高性能电源系统
产品概述
I
D
V
( BR ) DSS
r
DS ( ON)
Q
g
T
A
=25
o
C
I
D
=250uA
V
GS
=10V
V
DS
=480V
D
2A
730V
1.0Ω
21nC
最大
典型值
典型值
G
S
T0252
ICEMOS和它的姊妹公司3D SEMI所拥有的基础专利
FOR超结MOSFET的。这些专利多数有17〜 20
剩余寿命年。该组合授予专利权发行
美国,中国,韩国,日本,台湾&欧洲
.
标准金属
散热器
1 =门, 2 =排水,
3=Source
.
最大额定值
b
参数
T
j
=25
o
C,除非另有规定编
符号
条件
价值
单位
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩能量,单脉冲
I
D
I
D,脉冲
E
AS
T
c
=25
o
C
T
c
=25
o
C
I
D
=2A
2
6
80
A
A
mJ
雪崩电流,重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作和存储温度
a。当安装在1英寸方形2盎司覆铜板FR- 4
I
AR
dv / dt的
T
j
最大
V
DS
=480V,
I
D
=2A,
T
j
=125
o
C
STATIC
AC ( f>1Hz )
T
c
=25
o
C
2
50
±20
±
30
65
-55到+150
A
V / ns的
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
V
W
o
C
B初步数据表 - 规格如有变更
SP-2N73D-000-0
08/30/2013
1