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ICE47N65W 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ICE47N65W
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 593 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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初步数据表
ICE47N65W
ICE47N65W
N沟道
增强型MOSFET
特点
• TO247封装
= LOW
r
DS ( ON)
•超低栅极电荷
•高dv / dt能力
•高非钳位感应开关( UIS)能力
•高峰值电流能力
•提高跨导性能
•优化设计的高性能电源系统
卤素
产品概述
I
D
V
( BR ) DSS
r
DS ( ON)
免费
T
A
=25
o
C
I
D
=1mA
V
GS
=10V
V
DS
=480V
D
47A
650V
0.063Ω
187nC
最大
典型值
典型值
Q
g
G
S
ICEMOS和它的姊妹公司3D SEMI所拥有的基础专利
FOR超结MOSFET的。这些专利多数有17〜 20
剩余寿命年。该组合授予专利权发行
美国,中国,韩国,日本,台湾&欧洲
.
TO247
1 : G, 2 :D ,
3 : S, 4 :D ,
(TO-247)
最大额定值
b
参数
T
j
=25
o
C,除非另有规定编
符号
条件
价值
单位
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩能量,单脉冲
I
D
I
D,脉冲
E
AS
T
c
=25
o
C
T
c
=25
o
C
I
D
=24A
47
117
1600
A
A
mJ
雪崩电流,重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作和存储温度
安装力矩
a。当安装在1英寸方形2盎司覆铜板FR- 4
I
AR
dv / dt的
T
j
最大
V
DS
=480V,
I
D
=47A,
T
j
=125
o
C
STATIC
AC ( f>1Hz )
T
c
=25
o
C
24
50
±20
±
30
417
-55到+150
A
V / ns的
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
V
W
o
C
M 3 & 3.5螺丝
60
NCM
B初步数据表 - 规格如有变更
SP-47N65W-000-3a
06/05/2013
1