ICE6N70 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ICE6N70
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 604 K
品牌：	ICEMOS [ Icemos Technology ]

初步数据表

ICE6N70

电容

10000

（ BR ） DSS

- 漏极至源极击穿电压

（归一化）

漏极至源极击穿电压与结温

1.2

C-电容（pF ）

1000

西塞

1.1

= 1毫安

100

科斯

1.0

CRSS

0.9

100

200

300

400

500

- 漏极 - 源极Votlage （ V）

600

0.8

-50

-25

100

- 结温（ ° C）

125

150

最大额定正向偏置安全工作区

100

R（T ），瞬态热阻

（归一化）

单脉冲，

TC = 25

=150

= 10V

瞬态热响应，结到外壳

1.00

0.5

0.2

0.1

- 漏电流（ A）

10us

100us

0.10

0.05

0.02

1ms

0.01

单脉冲

0.1

DS （ ON）

极限

套餐限制

热限制

0.01

100

- 漏极至源极电压（ V）

1000

0.00

1.0E-06

1.0E-05

1.0E-04

1.0E-03

1.0E-02

1.0E-01

1.0E+00

吨 - 时间（秒）

SP-6N70-000-4a

07/03/2013

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