初步数据表
ICE7N60
ICE7N60
N沟道
增强型MOSFET
特点
= LOW
r
DS （ ON）
•超低栅极电荷
•高dv / dt能力
•高非钳位感应开关（ UIS）能力
•高峰值电流能力
•提高跨导性能
•优化设计的高性能电源系统
卤素
产品概述
I
D
V
（ BR ） DSS
r
DS （ ON）
免费
T
A
=25
o
C
I
D
=250uA
V
GS
=10V
V
DS
=480V
D
7A
600V
0.52Ω
21nC
最大
民
典型值
典型值
Q
g
G
S
T0220
ICEMOS和它的姊妹公司3D SEMI所拥有的基础专利
FOR超结MOSFET的。这些专利多数有17〜 20
剩余寿命年。该组合授予专利权发行
美国，中国，韩国，日本，台湾&欧洲
.
标准金属
散热器
1 =门， 2 =排水，
3=Source
.
最大额定值
b
参数
在
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
符号
条件
价值
单位
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
I
D
I
D，脉冲
E
AS
T
c
=25°C
T
c
=25°C
I
D
=3.5A
7
21
170
A
A
mJ
雪崩电流，重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作和存储温度
安装力矩
a。当安装在1英寸方形2盎司覆铜板FR- 4
I
AR
dv / dt的
受
T
j
最大
V
DS
=480V,
I
D
=7A,
T
j
=125°C
STATIC
AC （ f>1Hz ）
T
c
=25°C
3.5
50
±20
±30
65
-55到+150
A
V / ns的
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
V
W
°C
NCM
M 3 & 3.5螺丝
60
B初步数据表 - 规格如有变更
SP-7N60-000-3
05/15/2013
1
ICEMOS [ Icemos Technology ]
