X24645
WEL和RWEL是挥发性锁存器是电的
LOW （禁止）状态。在写其他的任何地址
比1FFFh的，这里的写保护寄存器是
设，将被忽略（无ACK ），直到WEL位被置位
HIGH 。 WEL位通过写0000001x设置
地址1FFFh的。一旦设定， WEL保持高电平，直到
2
RWEL
1
WEL
0
0
写保护注册
写保护寄存器（ WPR ）位于
最高地址1FFFh的。
图11.写保护注册
WPR （ ADDR = 1FFFh的）
7
WPEN
6
0
5
0
4
BP1
3
BP0
或者复位（通过写入00000000到1FFFh的） ，或直到部
权力-起来。该RWEL位控制写入
块保护位。 RWEL时，首先设置WEL设置
“1”
然后写0000011x解决1FFFh的。
RWEL必须按顺序设置来改变块保护位，
BP0和BP1 ，或WPEN位。 RWEL复位
2783 ILL F15.1
WPR.1 = WEL
- “写使能”锁存（挥发性）
0 =写使能锁存器复位，写入禁用1 =
写使能锁存器设置，启用写入
当块保护或WPEN位被改变，或者
部分权力，再次当。
编程的BP或WPEN位
三步顺序需要改变
非易失性块保护或写保护启用：
1）设置WEL = 1（写00000010解决1FFFh的，
性写周期）
如果WEL = “ 0 ”，则“无应答”的输入数据连接的第一个字节后。
WPR.2 = RWEL
- “寄存器写使能”锁存（挥发性）
0 =寄存器写使能锁存器复位，显示写道：
体健
1 =寄存器写使能锁存器设置，启用写入
WPR.3 ， WPR.4 = BP0 ， BP1
–-
块保护位（非易失性）
（ START）
2）设置RWEL = 1 （写00000110 ，以解决1FFFh的，
性写周期）
（见块保护节的定义）
WPR.7 = WPEN
（ START）
3）设置BP1，BP0和/或WPEN位（收件w00yz010到
地址1FFFh的）
- 写保护使能位（非易失性）
（请参阅硬件写保护节的定义）
写的写保护注册
写保护寄存器写的是执行
一个字节的随机写入直接解决， 1FFFh的。如果
页写来执行的开始与其他任何地址
比1FFF ，该数组中的地址字节
W = WPEN ， Y = BP1 ， Z = BP0 ，
（停止）
步骤3是非易失性写周期，需要10毫秒到
完整的。 RWEL被复位为“0”
通过这个写周期
需要另外写周期前再次设置RWEL
块保护位可被改变。 RWEL必须
1FFFh的将被写入，而不是写保护
注册（假设写不被禁用
块保护寄存器） 。
写状态寄存器保护可以通过读取
地址1FFFh的执行随机读取任何
“0
在步骤3;如果w00yz110写入地址1FFFh的，
”
RWEL设置，但WPEN ， BP1和BP0不
改变（该装置保持在步骤2）。
时间。如果按顺序读取起始于任何其它地址的比
1FFFh的被执行时，字节的内容中
在阵列中， 1FFFh的读写出来，而不是
保护寄存器。
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ICMIC [ IC MICROSYSTEMS ]
