IC41C16105S
IC41LV16105S
.eatures
1M ×16 ( 16兆位)动态RAM
与.AST页模式
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
??刷新间隔: 1024次/ 16毫秒,
1024次/ 128ms的自刷新
•刷新模式:
RAS -只, CAS先于RAS
(CBR) ,
隐藏和自刷新
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电:
5V ±10 % ( IC41C16105S )
3.3V±10 % ( IC41LV16105S )
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
• INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
描述
该
1+51
IC41C16105S和IC41LV16105S是1,048,576 X
16位高性能CMOS动态随机存取
回忆。 .ast页面模式让1024的随机访问
访问周期单列短至每20纳秒以内
16位的字。上下字节的字节写入控制,
使得IC41C16105S适合用于16-, 32位宽的数据
总线系统。
这些特性使得IC41C16105S和IC41LV16105S
理想地适用于高带宽图形,数字信号
处理,高性能计算系统,并
外设应用。
该IC41C16105S和IC41LV16105S被封装在一个
42引脚400mil SOJ和400mil 44-( 50- )引脚TSOP - 2 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间(吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间(吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间(t
AA
)
分钟。 .ast页面模式周期时间(t
PC
)
分钟。读/写周期时间(T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
PIN CON.IGURATIONS
44 (50) -pin TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
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DR011-0A 2001年5月23日
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