IC41C16256
IC41LV16256
256K ×16 （ 4兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
扩展数据输出（ EDO ）页面模式存取周期
TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
刷新方式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，
隐
•单电源供电：
5V ±10 ％ （ IC41C16256 ）
3.3V±10 ％ （ IC41LV16256 ）
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
• INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
•
无铅封装可用
•
•
•
•
描述
该
ICSI
IC41C16256和IC41LV16256是262,144 X 16
位高性能CMOS动态随机存取Memo-
里斯。该IC41C16256提供了一个加速周期访问
所谓EDO页面模式。 EDO页面模式允许512随机
与存取周期时间尽可能短的单列内访问
如每16位字为10 ns 。该字节写入控制上，而
低字节，使得IC41C16256适合用于
16-， 32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IC41C16256and IC41LV16256理想
适合于高带宽图形，数字信号处理，
高性能计算系统和外围
应用程序。
该IC41C16256封装在一个40引脚400mil SOJ和
400mil TSOP -2。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-25(5V)
25
8
12
10
45
-35
35
10
18
12
60
-50
50
14
25
20
90
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
40引脚TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
40引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A8
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
