IC41C4100
IC41LV4100
1M ×4 （ 4兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
扩展数据输出（ EDO ）页面模式存取周期
TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
刷新方式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，
隐
•单电源供电：
5V ±10 ％ （ IC41C4100 ）
3.3V±10 ％ （ IC41LV4100 ）
• INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
•
•
•
•
描述
该
ICSI
IC41C4100和IC41LV4100是1,048,576 ×4位
高性能CMOS动态随机存取存储器。
该IC41C4100提供所谓的EDO加速周期访问
页面模式。 EDO页面模式让1024的随机访问
访问周期单列短按12纳秒以内
4位的字。
这些特性使得IC41C4100and IC41LV4100理想
适合于，数字信号处理，高性能的音频
系统和外围设备的应用程序。
该IC41C4100封装在一个20引脚SOJ 300MIL和300MIL
TSOP-2.
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-50
50
14
25
20
90
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置
20 （ 26 ）引脚SOJ ， TSOP- 2
I/O0
I/O1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
引脚说明
A0-A9
I/O0-3
WE
OE
RAS
CAS
VCC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
A0
A1
A2
A3
VCC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
2
集成电路解决方案公司
DR027-0A 2001年9月5日
ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
