IC41C82002
IC41LV82002
2M ×8 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
.eatures
•扩展数据输出（ EDO ）页面模式
访问周期
• TTL兼容的输入和输出
•刷新间隔：
- 2048次/ 32毫秒
•刷新模式：
4)5-Only,
+)5-before-4)5
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电：
5V ± 10％或3.3V ± 10％的
•通过字节和写字节读取操作
+)5
描述
该
1+51
82002系列是2097152 ×8位高性能
CMOS动态随机存取存储器。江户时代页
模式允许在一行中2048随机访问
存取周期时间尽可能短，每8位字20纳秒。
这些特点使得82002系列非常适合于高
带宽的图形，数字信号处理，高性能
计算系统和外围设备的应用程序。
在82002系列封装在一个28引脚300MIL SOJ和28
脚TSOP - 2
产品系列概述
产品型号
IC41C82002
IC41LV82002
刷新
2K
2K
电压
5V ± 10%
3.3V ± 10%
关键时序参数
参数
RAS
访问时间（吨
RAC
)
CAS
访问时间（吨
CAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
EDO页面模式周期时间（t
PC
)
读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
PIN CON.IGURATION
28引脚SOJ ， TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A10
I/O0-7
WE
OE
RAS
CAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
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集成电路解决方案公司
DR017-0A 2001年6月22日
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ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
