IC42S32400
IC42S32400L
引脚说明
IC42S32400和IC42S32400L表1.Pin详细
符号类型
描述
CLK
CKE
输入
输入
钟： CLK
由系统clock.All SDRAM的输入信号进行采样的正沿从动
CLK.CLK也递增内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能： CKE
激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CLK signal.If CKE变低同步
chronously与时钟（设置和保持时间相同，其它输入） ，内部时钟被暂停
从下一个时钟周期和输出的状态和突发地址只要被冻结为所述CKE
仍然low.When所有银行都处于空闲状态，停用时钟控制入门到
关机和自刷新modes.CKE是同步的，除了设备进入电源后，
下来，自刷新模式，在CKE变成异步直到退出以相同的模式。
输入缓冲器，包括CLK ，被禁止在关机和自刷新模式，提供
低待机功耗。
银行选择： BS0
和BS1确定哪个银行BankActivate ，读，写，或BankPrecharge
命令被应用。
地址输入： A0 -A11
在BankActivate命令期间进行采样（行地址A0 -A11 ）和
读/写命令（列地址A0- A7与A10定义自动预充电），选择一个
在各个bank.During一个预充电命令的位置， A10被采样，以确定是否所有
银行将被预充电（ A10 =高） 。
地址输入时也一个模式寄存器设置为操作码。
BS0 ， BS1输入
A0 -A11输入
CS ＃
输入
芯片选择： CS ＃使
（采样为低电平）和禁用（采样HIGH）命令decoder.All
当CS ＃采样HIGH.CS ＃为外部银行选择上的命令被屏蔽
多banks.It系统被认为是命令代码的一部分。
行地址选通：中
RAS ＃信号定义结合的操作命令与
CAS ＃和WE ＃信号，并锁定在CLK.When RAS ＃和CS ＃正边缘AS-i
牢固插入“LOW”和CAS ＃是断言“高”，无论是BankActivate命令或预充电
命令被选中的WE＃ signal.When在WE ＃被认定为“高”的BankActivate的COM
命令被选中，由BS指定的银行接通到活动状态。当在WE ＃是
置为“低”的预充电命令被选中，由BS指定的银行被切换到
在预充电操作之后的空闲状态。
列地址选通：中
CAS ＃信号定义结合的操作命令与
RAS＃和WE＃信号，并锁存于CLK的上升沿。当RAS ＃保持“高”，
CS ＃是断言“低”栏目的访问是通过断言CAS ＃启动“低”。然后，阅读或
写命令由WE＃置“低”或“高”。
写使能：该
WE＃信号的定义结合的操作命令与RAS ＃和
CAS＃信号，并锁存于CLK.The WE＃的输入的上升沿被用于选择
BankActivate或预充电命令和读或写命令。
数据输入/输出面膜： DQM0 - DQM3
字节是具体的非持久性的I / O缓冲区的控制。在I / O
缓冲器置于高阻抗状态时的DQM采样HIGH.Input数据时掩蔽DQM
在写cycle.Output数据被屏蔽采样为高电平（双时钟延迟）时， DQM是
在读cycle.DQM3口罩DQ31 - DQ24 ， DQM2口罩DQ23 - DQ16 ， DQM1高采样
口罩DQ15 - DQ8和DQM0口罩DQ7 - DQ0 。
RAS ＃
输入
CAS ＃
输入
WE＃
输入
DQM0-3输入
DQ0-31输入/输出数据I / O：在
DQ0-31的输入和输出数据与的正边缘同步
CLK.The I / O是字节屏蔽期间读取和写入。
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集成电路解决方案公司
DR038-0C 2005年2月1日
ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
