IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
4（2）的M× 8 （16）位×4银行（128 - MBIT ）
同步动态RAM
特点
•单3.3V （ ± 0.3V ）电源
•高速时钟周期的时间-6： 166MHz<3-3-3> ，
-7H ： 133MHz<2-2-2> ， -7 ： 133MHz<3-3-3> ， -8 ：
100MHz<2-2-2>
•完全同步操作参考时钟
上升沿
•可以断言在随机接入列
每个周期
•四银行内部由BA0 & BA1 contorlled
（银行选择）
•字节由LDQM和UDQM控制
IC42S16800
•可编程的缠绕顺序（顺序/
交错）
•可编程突发长度（1， 2 ，4，8和满
页）
¥可编程
CAS
延迟（图2和3 ）
•自动预充电和预充电控制
• CBR （自动）刷新和自刷新
• X8 ， X16组织
?? LVTTL兼容的输入和输出
• 4096刷新周期/ 64ms的
•突发终止突发停止和预充电
命令
•封装400mil 54引脚TSOP- 2
描述
该IC42S81600和IC42S16800是高速
134217728位的同步动态随机
存取存储器，组织为4,194,304 ×8× 4和
2,097,152 ×16× 4 （字X位x行） ，分别。
同步DRAM的实现的高速数据
传输采用流水线结构。所有输入和
输出与的上升沿同步
clock.The同步DRAM与兼容
低电压TTL （ LVTTL ）。这些产品是封装
年龄在54针TSOP - 2 。
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年，集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
DR023-0E 6/11/2004
ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
