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IC61C1024L-25TI 参数 Datasheet PDF下载

IC61C1024L-25TI图片预览
型号: IC61C1024L-25TI
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内容描述: 128K ×8高速CMOS静态RAM [128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 172 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IC61C1024
IC61C1024L
AC波形
写周期NO 。 1
( CE控制,
OE
是高还是低)
(1 )
t
WC
地址
有效的地址
t
SA
CE
t
SCE
t
HA
WE
t
AW
t
PWE1
t
PWE2
t
HZWE
t
LZWE
高-Z
D
OUT
数据中,未定义
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
写周期NO 。 2
( OE为高电平期间写周期)
(1,2)
t
WC
地址
有效的地址
t
HA
OE
CE
t
AW
t
PWE1
WE
t
SA
D
OUT
数据中,未定义
t
HZWE
高-Z
t
LZWE
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
注意事项:
1.内部写入时间是由重叠定义
CE1
LOW , HIGH CE2和
WE
低。所有信号都必须在有效状态
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都引用
到终止写信号的上升沿或下降沿。
2. I / O将承担高阻状态,如果
OE
= V
IH
.
集成电路解决方案公司
AHSR008-0B 2001年10月18日
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