1+$+$"$
.eatures
64K ×16高速CMOS静态RAM
•高速存取时间:10, 12,15,和20纳秒
• CMOS低功耗运行
?? 1650毫瓦(最大值) @ -10ns周期
?? 55毫瓦(最大) CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单5V ±10 %电源
?? .ully静态操作:无时钟或刷新
需要
•三态输出
•工业应用温度
•提供44引脚SOJ封装
44引脚TSOP- 2
描述
该
1+51
IC61C6416是一个高速, 1048576位静态
RAM (16位)组织为65,536字。据制作
运用
1+51
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术,产量的存取时间快10纳秒的低功耗
消费。
当
CE
为高(取消) ,器件处于待机
模式,在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供,
输出使能输入,
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能( WE)控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节( UB )和低字节( LB )
访问。
该IC61C6416打包在JEDEC标准的44引脚
400mil SOJ和44引脚400mil TSOP - 2 。
.UNCTIONAL框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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集成电路解决方案公司
AHSR011-0A 2001年5月23日
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