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IC61LV256-15TI 参数 Datasheet PDF下载

IC61LV256-15TI图片预览
型号: IC61LV256-15TI
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内容描述: 32K ×8海特高速SRAM与3.3V [32K x 8 Hight Speed SRAM with 3.3V]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 124 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IC61LV256
写周期开关特性
(1,2)
(以上经营范围)
-8 NS
符号
参数
写周期时间
CE
撰写完
地址建立时间
撰写完
地址保持
从写端
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
分钟。马克斯。
-10 NS
分钟。马克斯。
-12 NS
分钟。马克斯。
-15 NS
分钟。马克斯。
单位
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
(4)
t
SD
t
HD
8
7
7
0
0
7
4.5
0
0
3.5
10
8
8
0
0
10
5
0
0
4
12
8
8
0
0
12
6
0
0
6
15
10
10
0
0
15
7
0
0
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
HZWE
(3)
WE
从低到高-Z输出
t
LZWE
(3)
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平,输入脉冲
0在图1中规定的水平至3.0V ,输出负载。
2.内部写入时间由的重叠限定
CE
低,
WE
低。所有信号都必须在有效
各国开始写,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立和保持
定时是参照该终止写信号的上升沿或下降沿。
3.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。不是100 %
测试。
4.与测试
OE
高。
AC波形
写周期NO 。 1
( CE控制,
OE
是高还是低)
(1 )
t
WC
地址
有效的地址
t
SA
CE
t
SCE
t
HA
WE
t
AW
t
PWE1
t
PWE2
t
HZWE
t
LZWE
高-Z
D
OUT
数据中,未定义
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
集成电路解决方案公司
AHSR027-0B
11/28/2003
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