IC61LV5128-12TI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IC61LV5128-12TI
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内容描述：	512K ×8高速CMOS静态RAM [512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 157 K
品牌：	ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]

IC61LV5128

写周期NO 。 2

(1,2)

（我们控制，

是高在写周期）

地址

有效的地址

低

PWE1

OUT

数据中，未定义

HZWE

高-Z

LZWE

数据

有效

写周期NO 。 3

（我们控制，

为低电平时写周期）

地址

有效的地址

低

PWE2

OUT

数据中，未定义

HZWE

高-Z

LZWE

数据

有效

注意事项：

1.内部写入时间是由重叠定义

低，

低。所有信号必须在有效状态开始写，

但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考的上升或下降

该终止写信号的边沿。

2. I / O将承担高阻状态，如果

＆ GT ; V

集成电路解决方案公司

AHSR021-0A

09/11/2001

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