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IC61LV5128-15TI 参数 Datasheet PDF下载

IC61LV5128-15TI图片预览
型号: IC61LV5128-15TI
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内容描述: 512K ×8高速CMOS静态RAM [512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 157 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IC61LV5128
写周期开关特性
(1,3)
(以上经营范围)
-8
符号
参数
写周期时间
CE
撰写完
地址建立时间
撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
分钟。
8
7
7
0
0
7
4.5
0
3
马克斯。
4
-10
分钟。马克斯。
10
8
8
0
0
8
5
0
3
5
-12
分钟。马克斯。
12
9
9
0
0
9
6
0
3
6
-15
分钟。马克斯。
15
10
10
0
0
10
7
0
3
7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
WE
从低到高-Z输出
t
LZWE
(2)
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试,与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE
低,
WE
低。所有信号必须在有效状态开始写,
但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考的上升或下降
该终止写信号的边沿。
AC波形
写周期NO 。 1
(1,2 )
( CE
控制,
OE
是高还是低)
t
WC
地址
有效的地址
t
SA
CE
t
SCE
t
HA
WE
t
AW
t
PWE1
t
PWE2
t
HZWE
t
LZWE
高-Z
D
OUT
数据中,未定义
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
集成电路解决方案公司
AHSR021-0A
09/11/2001
7