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    IC62LV25616LL-70B 参数 Datasheet PDF下载

    IC62LV25616LL-70B图片预览
    型号： IC62LV25616LL-70B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx16位低电压和超低功耗CMOS静态RAM [256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 126 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IC62LV25616LL-70B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IC62LV25616LL-70B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IC62LV25616LL-70B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IC62LV25616LL-70B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IC62LV25616LL-70B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IC62LV25616LL-70B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IC62LV25616LL-70B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IC62LV25616LL-70B的Datasheet PDF文件第11页  
    IC62LV25616L
    IC62LV25616LL
    AC测试负载
    读周期1号
    (1,2)
    （地址控制） （
    CE = OE
    = V
    IL
    ,
    UB
    or
    LB
    = V
    IL
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    t
    OHA
    数据有效
    D
    OUT
    以前的数据有效
    AC波形
    读周期2号
    (1,3)
    (
    CE， OE ，
    和
    UB / LB
    控制
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    OE
    t
    美国能源部
    t
    HZOE
    CE
    t
    LZCE
    t
    LZOE
    t
    ACE
    t
    HZCE
    LB ， UB
    t
    BA
    t
    HZB
    数据有效
    D
    OUT
    高-Z
    t
    LZB
    注意事项：
    1.
    WE
    高一读周期。
    2.该装置被连续地选择。
    OE ， CE， UB ，
    or
    LB
    = V
    IL
    .
    3.地址之前或重合是有效的
    CE
    低转换。
    集成电路解决方案公司
    LPSR013-0D 2002年10月11日
    7

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