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IC62LV25616LL-70TI 参数 Datasheet PDF下载

IC62LV25616LL-70TI图片预览
型号: IC62LV25616LL-70TI
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内容描述: 256Kx16位低电压和超低功耗CMOS静态RAM [256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 126 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IC62LV25616L
IC62LV25616LL
文档标题
256Kx16位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
修订历史
版本号
0A
0B
历史
最初的草案
草案日期
1,2001五月
备注
初步
1.更改为吨
PWE
: 45 〜40纳秒55纳秒产品
八月21,2001
: 60〜 40纳秒70纳秒产品
2.更改为V
CC
: 2.2-3.6V到2.7-3.6V
3.1更改为我
CC
测试conditiomn : V
CC
=最大。到3V
3.2改变了我
CC
: 35至40mA为55 ns的商业产品
30 35mA的电流为70 ns的商业首页=产品
25 〜30毫安电流为100 ns商用产品
4.更改了我
SB1
试验条件:用
CE
只有控制
5.1更改为V
DR
分钟。 : 1.2〜 1.5V
5.2更改为我
DR
测试条件: V
CC
= 1.2〜 1.5V
一月29,2002
1.更改了我
CC
40 mA至25毫安为55纳秒
35毫安到20 mA为70纳秒
30毫安至15mA为100纳秒
2.Change了我
DR
: 4μA至5 μA商业/ LL产品
6μA 9 μA工业/ LL产品
9,2002十月
更改V
OH
: 2.0V至2.4V
0C
0D
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
LPSR013-0D 2002年10月11日
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