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ICS8312AYLFT 参数 Datasheet PDF下载

ICS8312AYLFT图片预览
型号: ICS8312AYLFT
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内容描述: 低偏移, 1到12 LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器 [LOW SKEW, 1-TO-12 LVCMOS / LVTTL FANOUT BUFFER]
分类和应用: 逻辑集成电路驱动
文件页数/大小: 12 页 / 253 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL ˚F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
12 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入
最大输出频率: 250MHz的
输出偏斜: 150ps的(最大)
工作电源模式:
核心/输出
3.3V/3.3V,
2.5V/2.5V,
1.8V/1.8V,
3.3V/2.5V,
3.3V/1.8V,
2.5V/1.8V
0 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装
可应要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8312是一种低歪斜, 1至12 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS ™
HiPerClocks ™系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS8312单端
时钟输入接受LVCMOS或LVTTL输入列弗
ELS 。低阻抗LVCMOS输出被设计成
驱动50Ω串联或并联端接传输线。该
有效的扇出可以从12增加到24 ,利用
输出来驱动两个串联的能力,终止线。
ICS
该ICS8312的特点是在全3.3V , 2.5V和1.8V ,
混合3.3V / 2.5V , 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供应模式。保证输出部分,以部分煤焦歪斜
Cucumis Sativus查阅全文连同1.8V输出能力使得
ICS8312非常适用于高性能,单端应用
系统蒸发散,也需要限制输出电压。
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
GND
GND
V
DDO
V
DDO
Q0
Q1
Q2
Q3
CLK_EN
nD
Q
LE
12
GND
V
DD
Q0:Q11
CLK_EN
CLK
GND
OE
V
DD
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
32 31 30 29 28 27 26 25
24
23
22
Q4
V
DDO
Q5
GND
Q6
V
DDO
Q7
GND
CLK
ICS8312
21
20
19
18
17
OE
9 10 11 12 13 14 15 16
Q11
V
DDO
Q10
GND
Q9
V
DDO
Q8
GND
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米体封装
ÿ Pacakge
顶视图
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 Ç 2004年6月14日