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IS41C16256-35T 参数 Datasheet PDF下载

IS41C16256-35T图片预览
型号: IS41C16256-35T
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内容描述: 256K ×16 ( 4兆位)动态RAM与EDO页模式 [256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 211 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS41C16256
IS41LV16256
真值表
功能
待机
阅读:字
阅读:低字节
阅读:高字节
写:字(早期写)
写:低字节(早期写)
写:高字节(早期写)
读 - 写
(1,2)
EDO页面模式读取
(2)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
UCAS LCAS
H
H
L
L
L
H
H
L
L
H
L
ħ → L
ħ → L
L-H
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
L
L
H
L
L
L
H
L
L
ħ → L
ħ → L
L-H
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
ħ → L
H
H
H
L
L
ħ → L
ħ → L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
不适用/不适用
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
高-Z
D
OUT
低字节,D
OUT
高字节,高Z
低字节,高Z
高位字节,D
OUT
D
IN
低字节,D
IN
高字节,高Z
低字节,高Z
高位字节,D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
EDO页面模式写
(1)
EDO页面模式
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
(2)
RAS-只
刷新
CBR刷新
(3)
L
第一个周期:
L
第二个周期:
L
任何周期:
L
第一个周期:
L
第二个周期:
L
第一个周期:
L
第二个周期:
L
阅读L→H → L
写L→H → L
L
ħ → L
注意事项:
1.这些写入周期也可能是字节写周期(无论是
LCAS
or
UCAS
活性) 。
2.这些读周期也可能是字节读周期(无论是
LCAS
or
UCAS
活性) 。
3.至少一个2的
CAS
信号必须被激活(LCAS或
UCAS ) 。
集成电路解决方案公司
DR001-0E 2002年1月25日
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