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IS61C3216-12TI 参数 Datasheet PDF下载

IS61C3216-12TI图片预览
型号: IS61C3216-12TI
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内容描述: 32K ×16高速CMOS静态RAM [32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 434 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS61C3216
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
V
°C
W
mA
注意:
1.应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能会造成永久性损坏
装置。这是一个值仅为
该装置的功能操作
这些或以上的任何其他条件
在操作这些节表示
本规范的系统蒸发散是不是暗示。
暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件
会影响其可靠性。
1
2
3
4
5
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
速度
-10, -12
-15, -20
-12
-15, -20
V
CC
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 5%
5V ± 10%
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND < V
IN
& LT ; V
CC
GND < V
OUT
& LT ; V
CC
,输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.5
–2
–2
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
µA
µA
6
7
8
注意事项:
1. V
IL
(分) = -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
& GT ; V
IH
, f = 0
V
CC
=最大,
CE
& GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
& LT ; 0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
-12
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
300
40
5
270
300
40
45
5
10
-15
分钟。马克斯。
250
270
40
45
5
10
-20
分钟。马克斯。单位
230
250
40
45
5
10
mA
mA
9
10
11
12
I
SB
2
mA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
集成电路解决方案公司
SR008-0B
3