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IS61C512-20N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IS61C512-20N
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内容描述: 64K ×8高速CMOS静态RAM [64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 425 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS61C512
IS61C512
64K ×8高速CMOS静态RAM
描述
ICSI
IS61C512是一个非常高速,低功耗, 65536
字由8位CMOS静态RAM 。他们使用的是制造
ICSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术,产量更高的性能和低功率变
消费设备。
CE1
为高或CE2为低(未选中)时,器件
假设待机模式,在该功率耗散能
减少到1毫瓦(典型值)与CMOS输入电平。
易存储器扩展,通过使用两个芯片使能提供
输入,
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能( WE)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS61C512提供32引脚DIP 300MIL , SOJ和
8 * 20毫米TSOP- 1封装。
特点
引脚128K ×8的设备兼容
高速存取时间: 15 , 20 , 25 , 35纳秒
低有功功率: 500毫瓦(典型值)
低待机功耗
- 250 μW (典型值) CMOS待机
输出使能( OE )和两个芯片使能
( CE1和CE2 )输入,便于应用
全静态操作:无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V ( ± 10 % )电源
功能框图
A0-A15
解码器
512 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年,集成电路解决方案公司
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SR011-0B
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