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    IS61LV12816-10BI 参数 Datasheet PDF下载

    IS61LV12816-10BI图片预览
    型号： IS61LV12816-10BI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×16高速CMOS静态RAM [128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 146 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IS61LV12816-10BI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61LV12816-10BI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61LV12816-10BI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61LV12816-10BI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61LV12816-10BI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS61LV12816-10BI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS61LV12816-10BI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS61LV12816-10BI的Datasheet PDF文件第11页  
    IS61LV12816
    AC波形
    写周期NO 。 1
    
    (1 ,2)
    （ CE控制，
    OE
    是高还是低）
    t
    WC
    地址
    有效的地址
    t
    SA
    CE
    t
    SCE
    t
    HA
    WE
    t
    AW
    t
    PWE1
    t
    PWE2
    t
    PWB
    UB ， LB
    t
    HZWE
    D
    OUT
    数据中，未定义
    高-Z
    t
    LZWE
    t
    SD
    D
    IN
    t
    HD
    数据
    IN
    有效
    注意事项：
    1.写是低状态的重叠时内部产生的信号断言
    CE
    和
    WE
    输入端和至少
    中的一个
    LB
    和
    UB
    投入低状态之中。
    2.写= （ CE）
    [
    （LB） = （UB）
    ]
    （WE） 。
    8
    集成电路解决方案公司
    SR023_0C

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