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IS61LV12816-15T 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV12816-15T图片预览
型号: IS61LV12816-15T
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内容描述: 128K ×16高速CMOS静态RAM [128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 146 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS61LV12816
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制( I / O0 -I / O7 )
上个字节的控制( I / O8 -I / O15 )
无连接
动力
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
VCC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%

!
& QUOT ;
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
T
BIAS
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
在偏压温度:
COM 。
IND 。
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到4.0
-0.5〜 VCC + 0.5
-65到+150
-65到+85
-45至+90
2.0
+20
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
#
$
%
&放大器;
'
分钟。
2.4
—
2
–0.3
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
注意:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安



3
–1
–5
–1
–5
注意事项:
1. V
IL
(分) = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 %, - 5 % 。
集成电路解决方案公司
SR023_0C