IS61LV256
32K ×8低电压
CMOS静态RAM
.eatures
•高速存取时间：
- 8，10， 12，15， 20纳秒
•自动断电，当芯片被取消
• CMOS低功耗运行
- 345 mW工作（最大）
- 7毫瓦（最大） CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单3.3V电源
?? .ully静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术，产量
访问时间以最快的速度最大为8 ns 。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗减小到
50 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（ CE） 。该低电平有效写使能（ WE）控制
写入和读取的存储器。
该IS61LV256是JEDEC标准28引脚，
300MIL SOJ和8 * 13.4毫米的TSOP -1封装。
描述
该
1+51
IS61LV256是一个非常高速，低功耗，
32,768字由8位静态RAM 。它是使用制造
1+51
's
.UNCTIONAL框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SR004-0D
1
ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
